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闪速炉用后电熔再结合荣盛镁铬砖

时间:2017-09-22 14:08 作者:inadmin点击:

1、挂渣层

挂渣层宽580~820-,最宽处为1050-,有时无挂渣层。该层主晶相为铜磁铁矿,半自形晶粒状,边界有齿状,晶粒大者60~175-,小者10~40-。挂渣层中铜磁铁矿约占60%,赤铜铁矿估计占10%,硅酸盐约占20%-25%。

2、工作面

在工作面上形成宽120~350-的复合尖晶石向高铁复合尖晶石过渡矿物带,方镁石中的晶内尖晶石长大,氧化镁渐渐消失,硅酸盐充填尖晶石间,达5% -30%。

A 颗粒部分

主晶方镁石固溶体的晶内尖晶石明显长大,粒径达5-20-,环带结构显著,周边宽1-2-。边缘含铁高于中心,边缘FeO含量达51.21%,中心为29.64%,均高于晶间尖晶石。方镁石固溶体中的氧化镁部分减少仅0~20%,方镁石中固溶FeO增加,已达32.21%,Cr2O3降低仅为3.99%,原砖FeO 9. 58% ,Cr2O3 6%。硅酸盐约占此处颗粒部分的10%,为橄榄石柱状晶体,晶体长x宽为(60 ~100)- x30-。

B 基质部分

方镁石固溶体40~ 100-,由于晶内尖晶石大量吸收铁变为高铁复合尖晶石,晶内尖晶石粒径6-20-,环带结构明显,边缘铁明显高于中心,Cr2O3反之。方镁石固溶体中的氧化镁部分明显减少,工作面向砖里为0~30%。晶间尖晶石尚保留,约15%,晶粒20~50-,环带结构明显,晶体边缘Fe2O3 44.19%,晶体中心23.02%。硅酸盐约5%~30%,为橄榄石相。

荣盛镁铬砖

3、反应带

反应带呈斑状结构。主晶相为方镁石粒状晶体,晶粒大小为117 ~630-或者233~1515-,晶体边界为齿状,晶间裂隙1~6-,晶内尖晶石1~6-,也有小于0.5-者,含量约占方镁石的20%~30%;晶内硅酸盐粒度范围为20~50-,其中M2S: CMS为1:2,两者之和小于5%,晶内尖晶石粒度范围为20~30-;晶间硅酸盐均为MS,粒度范围为50-90-,含量小于5%;晶间尖晶石自形晶多边形状,晶粒30~60-,含量估计小于5%。

基质由方镁石固溶体、晶间尖晶石、硅酸盐、白色赤铜矿、红色金属铜矿及 少量硫酸钙镁复盐CaS04 • 3MgS04组成。

方镁石固溶体形状不规则,边界呈齿状、港弯状。晶粒大小为30-120-, 晶内尖晶石大小为l~l0-,有的有环带结构,周边含铁高,反射率高,中心铁 低。晶间二次尖晶石大小为20~140-,具环带结构,周边含铁量高于中心。显 微结构如图4-9所示。方镁石固溶体:晶间二次尖晶石为3:2。硅酸盐15- 40-约占基质的15%~20%,脱落的方镁石晶体粒度范围为40-60-,约占基质的5%,实为生成CaSO4• 3MgSO4复盐磨片过程脱落而致。孔洞约占基质 20% ~30%,矿物相基本相连。金属铜侵人砖体充填基质方镁石、尖晶石之间,范围25~30)-,个别区域达20%,呈基底式胶结方镁石与尖晶石,铜可进人方 镁石晶体之内,金属铜区域内晶间尖晶石,晶体边界浑圆,并未生长成自形多边形晶体。

赤铜矿充填在方镁石、尖晶石之间,含量为5%~20%。有时侵入方镁石形成硫酸钙镁复盐区域,利于尖晶石生长,晶内尖晶石变为5~12-自形晶体。基质中的硅酸盐出现黄长石离工作面15mm处,此处镁橄榄石:黄长石质量比为3:2;在离工作面25mm处(图4-11),镁橄榄石:黄长石为2: 3。黄长石为细小针柱状,晶体长X宽为(0.5~2)- x 0.5-。

赤铜矿Cu2O出现在距工作面11.9~24.9mm之间的反应带,金属铜出现在距工作面5.7~20.2mm的反应带,硫化亚铜Cu2S出现在距工作面0.9 ~ 16.9mm的反应带。

A   距工作面10mm处反应带的显微结构

主晶方镁石固溶体大小为117-466-,晶内尖晶石呈粒状,粒径为3- 10-,小者小于l-,晶内尖晶石约占方镁石30%。晶间尖晶石呈半自形晶多边形状,晶粒粒径为45~70-,含量小于5%。方镁石晶间裂纹宽6-18-,硅酸盐含量约为5%,均为M2S。

基质,由方镁石固溶体、尖晶石、硅酸盐及硫化亚铜与金属铜构成。方镁石晶体大小不一,呈不规则粒状,电熔方镁石晶粒90~170-,晶内尖晶石粒径为 6 ~24-,晶内尖晶石具有环带结构,周边高铁尖晶石宽0.5-,晶内尖晶石约 占方镁石的40%。烧结方镁石粒径为20-80-,晶内尖晶石粒径为1~2-。晶间尖晶石,包括原铬矿与二次尖晶石,两者之和与方镁石之比为3:4。二次尖晶石呈自形多边形状,品粒为35-60-,呈环带结构,周边含铁髙、反射率高于晶体中心,铬矿颗粒从外形看,已开始向二次尖晶石转化,距 工作面12mm处,铬矿约占10%,铬 矿粒径为30~466-c。

硫化亚铜,形状不规则,充填方 镁石与尖晶石晶体孔隙中,粒径为 30~90-,约占基质的15%,可填充晶间,也可进入方镁石晶内,置于空气中3个月已水化。

此带孔洞约占基质的15%,方镁石晶粒有的生成硫酸钙镁盐,区域范围为40-60-,约占基质的5%,生成物制片过程脱落。硅酸盐呈基底式胶结主晶,约占基质的20%,M2S不规则形状,粒径为20~30-。CMS粒状晶体粒径为60-70-,晶内包裹M2S晶体6~8-,M2S : CMS为1:4。硅酸盐组成不均匀,有的区域渣液中有细小的黄长石晶体。

距工作面lmm处C2AS:CMS:M2S为1:6:3,距工作面5mm处C2AS:CMS:M2S 为0:5:5,距工作面10mm处C2AS:CMS:M2S为0:8:2。这说明渣液侵入此区域,使硅酸盐中的镁橄榄石逐渐变为钙镁橄榄石及黄长石。

B   距工作面46mm处反应带的显微结构

斑状结构。电熔镁铬颗粒,主晶方镁石粒状晶体,晶粒大小为700~820-, 晶内尖晶石大小为3-8-,呈环带结构,晶体周边含铁量高,晶内尖晶石约占方镁石的30%。晶内硅酸盐为圆粒状,粒径为90-,其中CMS:M2S为7:3。Cu2S已侵入方镁石晶内,粒度大小为10~83-。

基质由方镁石、晶间尖晶石、硅酸盐及硫化亚铜构成。主晶方镁石呈不规则粒状,晶粒粒径为30~290-,晶内尖晶石粒径为3~15-,呈环带结构,晶内尖晶石周边含铁量高于中心,晶内尖晶石约占方镁石的40%,晶间尖晶石,包括铬矿与二次尖晶石,二次尖晶石自形晶、多边形状,晶粒20~80-;铬矿已经变化,粒径30-177-,铬矿约占此区5%~10%。此处方镁石:晶间尖晶石约为4:3。硅酸盐约占此区15%,其中5%为渣侵后物,晶体细小,硅酸盐多数为M2S。此区方镁石被SO3侵蚀而生成硫酸钙镁复盐者约占此区<5% ,粒度约30-。硫化亚铜不规则形状充填方镁石与晶间尖晶石之间,粒径20-90-,约占基质10%。此区孔洞约占基质5%~10%。

4、渐变带

A   距工作面43~57mm的渐变带

斑状结构。电熔镁铬颗粒,乳浊结构,主晶方镁石固溶体粒度为230~700-,晶内尖晶石粒度为2-20-,小者小于0.5-,约占此颗粒的20%~ 25%。此颗粒无硅酸盐,主晶方镁石之间缝隙为1~2-。颗粒边缘的方镁石已反应生成CaSO4•3MgSO4,磨片过程遇水脱落。

乳浊结构电熔镁铬,主晶方镁石粒度为466~1860-;方镁石晶内包裹圆粒形硅酸盐,粒径为58-230-,约占此颗粒的5%,其中CMS:M2S为2:1,硅酸盐中析出自形多边形尖晶石,粒度为30-60-,尖晶石含量小于5%。方镁石已被SO3侵蚀生成CaSO4•3MgSO4,范围58~232-制片中此矿物溶解脱落形成孔洞,但晶内尖晶石依然存在,脱落的方镁石约占此颗粒的5%。

由上可见,方镁石晶体大,硅酸盐包在方镁石晶内,晶体小一般晶内无硅酸盐,电熔料成分不均匀,颗粒间差别较大。

结状电熔镁铬颗粒,主晶方镁石固溶体粒径为162~406-,方镁石晶间缝 隙2~5-,硅酸盐约10%充填在方镁石晶间。方镁石已形成CaSO4•3MgSO4与 MgSO4,粒度可达460-,晶间尖晶石尚存在,蚀损的方镁石约占颗粒部分的 1/3。显微结构如图4-16所示。

图4-16 距工作面43~57mm处渐变带显微结构照片(90x)

基质由电熔镁铬、烧结镁砂、铬矿、二次尖晶石与硅酸盐组成。电熔镁铬之方镁石固溶体粒径为90~460-;烧结镁砂粒径为60-80-。铬矿不规则齿状边界90-230-,二次尖晶石24~140-,两者各半。方镁石:尖晶石约3:2基质中方镁石反应生成CaSO4•3MgSO4的范围60~90-约占基质10%-15%。硅酸盐约占10%~15%,镁橄榄石为主,少量钙镁橄榄石。此砖在距工作 面43-57mm范围内均有方镁.石蚀损出现。

B   距工作面31-40mm的渐变带

本段带电熔镁铬颗粒均有蚀损,粒度范围为230-280-,占颗粒部分 的5%。

基质中方镁石固溶体因受SO3侵蚀边界变成齿状,粒径为50-180-,晶内尖晶石依旧;铬矿颗粒不规则,粒径为50-100-;二次尖晶石半自形晶、多边形状,粒径为35~175-,二次尖晶石:铬矿为2:1。此带方镁石:尖晶石约为5: 4。孔洞约占基质30%~40%。基质方镁石受SO3侵蚀形成溶水的盐类,粒度范围为60-120-,约占基质15%。

距工作面34mm处,渣侵入砖中,宽116~350-。渣侵入电熔镁铬颗粒,主晶方镁石的晶内尖晶石长大、变亮,达5~16-,并出现外亮、内暗的尖晶石环带结构,晶内尖晶石含量渐渐增多达70%,方镁石仅30%,方镁石蚀损,溶入渣中。晶间尖晶石在侵入带中依然可见,自形晶,多边形,具有环带结构,粒径为30~60-,有时可达20%,此带无方镁石。硅酸盐骸晶柱状(10-15)- × (6-10)-,约5%-10%,可能为含铁镁橄榄石。

5、微变带

电熔镁铬颗粒与未变带相同,两种主要结构为:乳浊结构与结状结构,少量为交代溶蚀结构。

乳浊结构电熔镁铬颗粒,主晶方镁石晶粒大小为174~1276-,晶内尖晶石粒径为2~15-,约占此颗粒25%;晶内包裹硅酸盐呈圆形与椭圆形,粒径为18~93-,约占<55%,其中:M2S:CMS为1:2,硅酸盐中析出自形晶、多边形尖晶石,晶粒大小为20~58-。方镁石晶间硅酸盐<5%,均为镁橄榄石。

结状结构电熔镁铬颗粒,主晶方镁石固溶体粒状晶体,晶粒大小为350- 1165-,晶内尖晶石粒径为10-83-;晶内尖晶石或条状充填方镁石晶间之缝 隙,宽20~30-,或呈自形晶、多边形状,晶粒93~163-,充填在主晶的孔隙中,晶间尖晶石占此颗粒约20%。主晶方镁石之间、方镁石与晶间尖晶石之缝隙,晶间尖晶石之间有时有缝隙,宽最宽18-;硅酸盐占此颗粒5%,充填主晶之缝隙宽充填孔隙40-,其中M2S:CMS约为4:1。主晶方镁石有的已脱落,范围达116-,晶内尖晶石仍存在,使用过程受SO3侵蚀,生成易溶于水的MgSO4及CaSO4 • 3MgSO4,这是由制片脱落所致的。

交代溶蚀结构电熔镁铬颗粒,由方镁石固溶体与晶间尖晶石组成。方镁石固溶体解理发育,晶粒大小为186~560-,晶间尖晶石呈骸晶状、骨架状,晶粒大小为230-1165-,约占此颗粒30%~40%。硅酸盐均为镁橄榄石,充填方镁石。尖晶石晶体之间,含量约为10%。

基质由方镁石固溶体、铬矿、二次尖晶石及硅酸盐组成。方镁石固溶体为浑圆粒状,电熔料方镁石晶粒110~230-,烧结料方镁石30~40-,电熔镁多于烧结镁。

二次尖晶石自形晶,多边形状,晶粒大小为20~40-;铬矿小颗粒不规则形状,边界呈齿状,粒径为58-150-,铬矿已非原组成,已经发生扩散反应。二次尖晶石与铬矿估计两者各半。

硅酸盐约占基质10%~15%,充填方镁石与尖晶石之间,均为镁橄榄石。显微结构如图4-18所示。

孔洞约占基质40%,矿物相基本相连。电熔料主晶方镁石有的已脱落,只留下晶内尖晶石,脱落范围为80~116-,脱落的方镁石面积约占基质10%。距工作面65-69.25mm之间,出现方镁石脱落现象,生成易溶于水的硫酸镁与CaSO4•3MgSO4,原因是硬度低、溶于水,制片过程脱落。

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